FF23MR12W1M1B11BOMA1

Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek

Část výrobce	FF23MR12W1M1B11BOMA1
Výrobce	IR (Infineon Technologies)
Popis	MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE
Kategorie	diskrétní polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fety, mosfety - pole
Životní cyklus:	New from this manufacturer.
Dodávka:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Způsob platby	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	FF23MR12W1M1B11BOMA1 PDF

Dostupnost

Na skladě	391 340
Jednotková cena	$ 92.76000

FF23MR12W1M1B11BOMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FF23MR12W1M1B11BOMA1 Specifikace

Typ	Popis
série:	CoolSiC™+
balík:	Tray
stav dílu:	Active
typ fet:	2 N-Channel (Dual)
funkce fet:	Silicon Carbide (SiC)
napětí od zdroje ke zdroji (vdss):	1200V (1.2kV)
proud - trvalý odběr (id) @ 25°c:	50A
rds na (max.) @ id, vgs:	23mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	5.55V @ 20mA
náboj brány (qg) (max) @ vgs:	125nC @ 15V
vstupní kapacita (ciss) (max) @ vds:	3950pF @ 800V
výkon - max:	20mW
Provozní teplota:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ montáže:	Chassis Mount
balíček / pouzdro:	Module
dodavatelský balíček zařízení:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.