NTMFD4C85NT1G

Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek

Část výrobce	NTMFD4C85NT1G
Výrobce	Rochester Electronics
Popis	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Kategorie	diskrétní polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fety, mosfety - pole
Životní cyklus:	New from this manufacturer.
Dodávka:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Způsob platby	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	NTMFD4C85NT1G PDF

Dostupnost

Na skladě	183 040
Jednotková cena	$ 2.14000

NTMFD4C85NT1G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

NTMFD4C85NT1G Specifikace

Typ	Popis
série:	-
balík:	Bulk
stav dílu:	Obsolete
typ fet:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
funkce fet:	Standard
napětí od zdroje ke zdroji (vdss):	30V
proud - trvalý odběr (id) @ 25°c:	15.4A, 29.7A
rds na (max.) @ id, vgs:	3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 250µA
náboj brány (qg) (max) @ vgs:	32nC @ 10V
vstupní kapacita (ciss) (max) @ vds:	1960pF @ 15V
výkon - max:	1.13W
Provozní teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ montáže:	Surface Mount
balíček / pouzdro:	8-PowerTDFN
dodavatelský balíček zařízení:	8-DFN (5x6)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.