IRFHE4250DTRPBF

Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek

Část výrobce	IRFHE4250DTRPBF
Výrobce	Rochester Electronics
Popis	HEXFET POWER MOSFET
Kategorie	diskrétní polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fety, mosfety - pole
Životní cyklus:	New from this manufacturer.
Dodávka:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Způsob platby	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	IRFHE4250DTRPBF PDF

Dostupnost

Na skladě	9 000
Jednotková cena	$ 1.79000

IRFHE4250DTRPBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRFHE4250DTRPBF Specifikace

Typ	Popis
série:	HEXFET®
balík:	Bulk
stav dílu:	Active
typ fet:	2 N-Channel (Dual)
funkce fet:	Standard
napětí od zdroje ke zdroji (vdss):	25V
proud - trvalý odběr (id) @ 25°c:	86A (Tc), 303A (Tc)
rds na (max.) @ id, vgs:	2.75mOhm @ 27A, 10V, 900µOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
náboj brány (qg) (max) @ vgs:	20nC, 53nC @ 4.5V
vstupní kapacita (ciss) (max) @ vds:	1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
výkon - max:	156W (Tc)
Provozní teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ montáže:	Surface Mount
balíček / pouzdro:	32-PowerVFQFN
dodavatelský balíček zařízení:	32-PQFN (6x6)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.