TK3A65D(STA4,Q,M)

Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek

Část výrobce	TK3A65D(STA4,Q,M)
Výrobce	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Popis	MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
Kategorie	diskrétní polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fety, mosfety - jedn
Životní cyklus:	New from this manufacturer.
Dodávka:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Způsob platby	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	TK3A65D(STA4,Q,M) PDF

Dostupnost

Na skladě	932 435
Jednotková cena	$ 1.43220

TK3A65D(STA4,Q,M) Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TK3A65D(STA4,Q,M) Specifikace

Typ	Popis
série:	π-MOSVII
balík:	Tube
stav dílu:	Active
typ fet:	N-Channel
technika:	MOSFET (Metal Oxide)
napětí od zdroje ke zdroji (vdss):	650 V
proud - trvalý odběr (id) @ 25°c:	3A (Ta)
napětí pohonu (max. rds zapnuto, min. rds zapnuto):	10V
rds na (max.) @ id, vgs:	2.25Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.4V @ 1mA
náboj brány (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (max.):	±30V
vstupní kapacita (ciss) (max) @ vds:	540 pF @ 25 V
funkce fet:	-
ztrátový výkon (max.):	35W (Tc)
Provozní teplota:	150°C (TJ)
typ montáže:	Through Hole
dodavatelský balíček zařízení:	TO-220SIS
balíček / pouzdro:	TO-220-3 Full Pack

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.