SCTWA50N120

Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek

Část výrobce	SCTWA50N120
Výrobce	STMicroelectronics
Popis	SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Kategorie	diskrétní polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fety, mosfety - jedn
Životní cyklus:	New from this manufacturer.
Dodávka:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Způsob platby	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	SCTWA50N120 PDF

Dostupnost

Na skladě	1 240
Jednotková cena	$ 29.63000

SCTWA50N120 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SCTWA50N120 Specifikace

Typ	Popis
série:	-
balík:	Tube
stav dílu:	Active
typ fet:	N-Channel
technika:	SiCFET (Silicon Carbide)
napětí od zdroje ke zdroji (vdss):	1200 V
proud - trvalý odběr (id) @ 25°c:	65A (Tc)
napětí pohonu (max. rds zapnuto, min. rds zapnuto):	20V
rds na (max.) @ id, vgs:	69mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 1mA
náboj brány (qg) (max) @ vgs:	122 nC @ 20 V
vgs (max.):	+25V, -10V
vstupní kapacita (ciss) (max) @ vds:	1900 pF @ 400 V
funkce fet:	-
ztrátový výkon (max.):	318W (Tc)
Provozní teplota:	-55°C ~ 200°C (TJ)
typ montáže:	Through Hole
dodavatelský balíček zařízení:	HiP247™
balíček / pouzdro:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.