SCT3080ALGC11

Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek

Část výrobce	SCT3080ALGC11
Výrobce	ROHM Semiconductor
Popis	SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Kategorie	diskrétní polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fety, mosfety - jedn
Životní cyklus:	New from this manufacturer.
Dodávka:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Způsob platby	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	SCT3080ALGC11 PDF

Dostupnost

Na skladě	1 705
Jednotková cena	$ 10.86000

SCT3080ALGC11 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SCT3080ALGC11 Specifikace

Typ	Popis
série:	-
balík:	Tube
stav dílu:	Active
typ fet:	N-Channel
technika:	SiCFET (Silicon Carbide)
napětí od zdroje ke zdroji (vdss):	650 V
proud - trvalý odběr (id) @ 25°c:	30A (Tc)
napětí pohonu (max. rds zapnuto, min. rds zapnuto):	18V
rds na (max.) @ id, vgs:	104mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5.6V @ 5mA
náboj brány (qg) (max) @ vgs:	48 nC @ 18 V
vgs (max.):	+22V, -4V
vstupní kapacita (ciss) (max) @ vds:	571 pF @ 500 V
funkce fet:	-
ztrátový výkon (max.):	134W (Tc)
Provozní teplota:	175°C (TJ)
typ montáže:	Through Hole
dodavatelský balíček zařízení:	TO-247N
balíček / pouzdro:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.