IPS65R1K5CEAKMA1

Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek

Část výrobce	IPS65R1K5CEAKMA1
Výrobce	Rochester Electronics
Popis	MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251
Kategorie	diskrétní polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fety, mosfety - jedn
Životní cyklus:	New from this manufacturer.
Dodávka:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Způsob platby	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	IPS65R1K5CEAKMA1 PDF

Dostupnost

Na skladě	1 865 930
Jednotková cena	$ 0.20000

IPS65R1K5CEAKMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPS65R1K5CEAKMA1 Specifikace

Typ	Popis
série:	CoolMOS™ CE
balík:	Tube
stav dílu:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technika:	MOSFET (Metal Oxide)
napětí od zdroje ke zdroji (vdss):	650 V
proud - trvalý odběr (id) @ 25°c:	3.1A (Tc)
napětí pohonu (max. rds zapnuto, min. rds zapnuto):	10V
rds na (max.) @ id, vgs:	1.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 100µA
náboj brány (qg) (max) @ vgs:	10.5 nC @ 10 V
vgs (max.):	±20V
vstupní kapacita (ciss) (max) @ vds:	225 pF @ 100 V
funkce fet:	-
ztrátový výkon (max.):	28W (Tc)
Provozní teplota:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ montáže:	Through Hole
dodavatelský balíček zařízení:	TO-251
balíček / pouzdro:	TO-251-3 Stub Leads, IPak

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.