RRQ030P03HZGTR

Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek

Část výrobce	RRQ030P03HZGTR
Výrobce	ROHM Semiconductor
Popis	MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Kategorie	diskrétní polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fety, mosfety - jedn
Životní cyklus:	New from this manufacturer.
Dodávka:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Způsob platby	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	RRQ030P03HZGTR PDF

Dostupnost

Na skladě	3 000
Jednotková cena	$ 0.70000

RRQ030P03HZGTR Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

RRQ030P03HZGTR Specifikace

Typ	Popis
série:	Automotive, AEC-Q101
balík:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stav dílu:	Active
typ fet:	P-Channel
technika:	MOSFET (Metal Oxide)
napětí od zdroje ke zdroji (vdss):	30 V
proud - trvalý odběr (id) @ 25°c:	3A (Ta)
napětí pohonu (max. rds zapnuto, min. rds zapnuto):	4V, 10V
rds na (max.) @ id, vgs:	125mOhm @ 1.5A, 4V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
náboj brány (qg) (max) @ vgs:	5.2 nC @ 5 V
vgs (max.):	±20V
vstupní kapacita (ciss) (max) @ vds:	480 pF @ 10 V
funkce fet:	-
ztrátový výkon (max.):	950mW (Ta)
Provozní teplota:	150°C (TJ)
typ montáže:	Surface Mount
dodavatelský balíček zařízení:	TSMT6 (SC-95)
balíček / pouzdro:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.