IMBG120R090M1HXTMA1

Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek

Část výrobce	IMBG120R090M1HXTMA1
Výrobce	IR (Infineon Technologies)
Popis	TRANS SJT N-CH 1.2KV 26A TO263
Kategorie	diskrétní polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fety, mosfety - jedn
Životní cyklus:	New from this manufacturer.
Dodávka:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Způsob platby	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	IMBG120R090M1HXTMA1 PDF

Dostupnost

Na skladě	466 828
Jednotková cena	$ 14.47000

IMBG120R090M1HXTMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IMBG120R090M1HXTMA1 Specifikace

Typ	Popis
série:	CoolSiC™
balík:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stav dílu:	Active
typ fet:	N-Channel
technika:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
napětí od zdroje ke zdroji (vdss):	1.2 kV
proud - trvalý odběr (id) @ 25°c:	26A (Tc)
napětí pohonu (max. rds zapnuto, min. rds zapnuto):	-
rds na (max.) @ id, vgs:	125mOhm @ 8.5A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5.7V @ 3.7mA
náboj brány (qg) (max) @ vgs:	23 nC @ 18 V
vgs (max.):	+18V, -15V
vstupní kapacita (ciss) (max) @ vds:	763 pF @ 800 V
funkce fet:	Standard
ztrátový výkon (max.):	136W (Tc)
Provozní teplota:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ montáže:	Surface Mount
dodavatelský balíček zařízení:	PG-TO263-7-12
balíček / pouzdro:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.