TK100L60W,VQ

Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek

Část výrobce	TK100L60W,VQ
Výrobce	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Popis	MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
Kategorie	diskrétní polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fety, mosfety - jedn
Životní cyklus:	New from this manufacturer.
Dodávka:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Způsob platby	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	TK100L60W,VQ PDF

Dostupnost

Na skladě	66
Jednotková cena	$ 33.12000

TK100L60W,VQ Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TK100L60W,VQ Specifikace

Typ	Popis
série:	DTMOSIV
balík:	Tube
stav dílu:	Active
typ fet:	N-Channel
technika:	MOSFET (Metal Oxide)
napětí od zdroje ke zdroji (vdss):	600 V
proud - trvalý odběr (id) @ 25°c:	100A (Ta)
napětí pohonu (max. rds zapnuto, min. rds zapnuto):	10V
rds na (max.) @ id, vgs:	18mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 5mA
náboj brány (qg) (max) @ vgs:	360 nC @ 10 V
vgs (max.):	±30V
vstupní kapacita (ciss) (max) @ vds:	15000 pF @ 30 V
funkce fet:	Super Junction
ztrátový výkon (max.):	797W (Tc)
Provozní teplota:	150°C (TJ)
typ montáže:	Through Hole
dodavatelský balíček zařízení:	TO-3P(L)
balíček / pouzdro:	TO-3PL

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.