FDFMA2P853T

Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek

Část výrobce	FDFMA2P853T
Výrobce	Rochester Electronics
Popis	MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Kategorie	diskrétní polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fety, mosfety - jedn
Životní cyklus:	New from this manufacturer.
Dodávka:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Způsob platby	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	FDFMA2P853T PDF

Dostupnost

Na skladě	47 860
Jednotková cena	$ 0.25000

FDFMA2P853T Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FDFMA2P853T Specifikace

Typ	Popis
série:	PowerTrench®
balík:	Bulk
stav dílu:	Obsolete
typ fet:	P-Channel
technika:	MOSFET (Metal Oxide)
napětí od zdroje ke zdroji (vdss):	20 V
proud - trvalý odběr (id) @ 25°c:	3A (Ta)
napětí pohonu (max. rds zapnuto, min. rds zapnuto):	1.8V, 4.5V
rds na (max.) @ id, vgs:	120mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 250µA
náboj brány (qg) (max) @ vgs:	6 nC @ 4.5 V
vgs (max.):	±8V
vstupní kapacita (ciss) (max) @ vds:	435 pF @ 10 V
funkce fet:	Schottky Diode (Isolated)
ztrátový výkon (max.):	1.4W (Ta)
Provozní teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ montáže:	Surface Mount
dodavatelský balíček zařízení:	MicroFET 2x2 Thin
balíček / pouzdro:	6-UDFN Exposed Pad

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.