SIHH24N65E-T1-GE3

Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek

Část výrobce	SIHH24N65E-T1-GE3
Výrobce	Vishay / Siliconix
Popis	MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8
Kategorie	diskrétní polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fety, mosfety - jedn
Životní cyklus:	New from this manufacturer.
Dodávka:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Způsob platby	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	SIHH24N65E-T1-GE3 PDF

Dostupnost

Na skladě	3 977
Jednotková cena	$ 7.13000

SIHH24N65E-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SIHH24N65E-T1-GE3 Specifikace

Typ	Popis
série:	-
balík:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stav dílu:	Active
typ fet:	N-Channel
technika:	MOSFET (Metal Oxide)
napětí od zdroje ke zdroji (vdss):	650 V
proud - trvalý odběr (id) @ 25°c:	23A (Tc)
napětí pohonu (max. rds zapnuto, min. rds zapnuto):	10V
rds na (max.) @ id, vgs:	150mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
náboj brány (qg) (max) @ vgs:	116 nC @ 10 V
vgs (max.):	±30V
vstupní kapacita (ciss) (max) @ vds:	2814 pF @ 100 V
funkce fet:	-
ztrátový výkon (max.):	202W (Tc)
Provozní teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ montáže:	Surface Mount
dodavatelský balíček zařízení:	PowerPAK® 8 x 8
balíček / pouzdro:	8-PowerTDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.