SPB02N60S5ATMA1

Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek

Část výrobce	SPB02N60S5ATMA1
Výrobce	IR (Infineon Technologies)
Popis	MOSFET N-CH 600V 1.8A TO263-3
Kategorie	diskrétní polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fety, mosfety - jedn
Životní cyklus:	New from this manufacturer.
Dodávka:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Způsob platby	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	SPB02N60S5ATMA1 PDF

Dostupnost

Na skladě	159
Jednotková cena	$ 0.67000

SPB02N60S5ATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SPB02N60S5ATMA1 Specifikace

Typ	Popis
série:	CoolMOS™
balík:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stav dílu:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technika:	MOSFET (Metal Oxide)
napětí od zdroje ke zdroji (vdss):	600 V
proud - trvalý odběr (id) @ 25°c:	1.8A (Tc)
napětí pohonu (max. rds zapnuto, min. rds zapnuto):	10V
rds na (max.) @ id, vgs:	3Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 80µA
náboj brány (qg) (max) @ vgs:	9.5 nC @ 10 V
vgs (max.):	±20V
vstupní kapacita (ciss) (max) @ vds:	240 pF @ 25 V
funkce fet:	-
ztrátový výkon (max.):	25W (Tc)
Provozní teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ montáže:	Surface Mount
dodavatelský balíček zařízení:	PG-TO263-3-2
balíček / pouzdro:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.