G2R1000MT33J

Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek

Část výrobce	G2R1000MT33J
Výrobce	GeneSiC Semiconductor
Popis	SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Kategorie	diskrétní polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fety, mosfety - jedn
Životní cyklus:	New from this manufacturer.
Dodávka:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Způsob platby	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	G2R1000MT33J PDF

Dostupnost

Na skladě	1 130
Jednotková cena	$ 16.58000

G2R1000MT33J Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

G2R1000MT33J Specifikace

Typ	Popis
série:	G2R™
balík:	Tube
stav dílu:	Active
typ fet:	N-Channel
technika:	SiCFET (Silicon Carbide)
napětí od zdroje ke zdroji (vdss):	3300 V
proud - trvalý odběr (id) @ 25°c:	4A (Tc)
napětí pohonu (max. rds zapnuto, min. rds zapnuto):	20V
rds na (max.) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 2mA
náboj brány (qg) (max) @ vgs:	21 nC @ 20 V
vgs (max.):	+20V, -5V
vstupní kapacita (ciss) (max) @ vds:	238 pF @ 1000 V
funkce fet:	-
ztrátový výkon (max.):	74W (Tc)
Provozní teplota:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ montáže:	Surface Mount
dodavatelský balíček zařízení:	TO-263-7
balíček / pouzdro:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.