TP65H300G4LSG

Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek

Část výrobce	TP65H300G4LSG
Výrobce	Transphorm
Popis	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Kategorie	diskrétní polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fety, mosfety - jedn
Životní cyklus:	New from this manufacturer.
Dodávka:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Způsob platby	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	TP65H300G4LSG PDF

Dostupnost

Na skladě	240
Jednotková cena	$ 4.02000

TP65H300G4LSG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TP65H300G4LSG Specifikace

Typ	Popis
série:	-
balík:	Tray
stav dílu:	Active
typ fet:	N-Channel
technika:	GaNFET (Gallium Nitride)
napětí od zdroje ke zdroji (vdss):	650 V
proud - trvalý odběr (id) @ 25°c:	6.5A (Tc)
napětí pohonu (max. rds zapnuto, min. rds zapnuto):	8V
rds na (max.) @ id, vgs:	312mOhm @ 5A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 500µA
náboj brány (qg) (max) @ vgs:	9.6 nC @ 8 V
vgs (max.):	±18V
vstupní kapacita (ciss) (max) @ vds:	760 pF @ 400 V
funkce fet:	-
ztrátový výkon (max.):	21W (Tc)
Provozní teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ montáže:	Surface Mount
dodavatelský balíček zařízení:	3-PQFN (8x8)
balíček / pouzdro:	3-PowerDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.