SIRA88DP-T1-GE3

Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek

Část výrobce	SIRA88DP-T1-GE3
Výrobce	Vishay / Siliconix
Popis	MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8
Kategorie	diskrétní polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fety, mosfety - jedn
Životní cyklus:	New from this manufacturer.
Dodávka:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Způsob platby	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	SIRA88DP-T1-GE3 PDF

Dostupnost

Na skladě	618
Jednotková cena	$ 0.51000

SIRA88DP-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SIRA88DP-T1-GE3 Specifikace

Typ	Popis
série:	TrenchFET® Gen IV
balík:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stav dílu:	Active
typ fet:	N-Channel
technika:	MOSFET (Metal Oxide)
napětí od zdroje ke zdroji (vdss):	30 V
proud - trvalý odběr (id) @ 25°c:	45.5A (Tc)
napětí pohonu (max. rds zapnuto, min. rds zapnuto):	4.5V, 10V
rds na (max.) @ id, vgs:	6.7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 250µA
náboj brány (qg) (max) @ vgs:	12.5 nC @ 4.5 V
vgs (max.):	+20V, -16V
vstupní kapacita (ciss) (max) @ vds:	985 pF @ 15 V
funkce fet:	-
ztrátový výkon (max.):	25W (Tc)
Provozní teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ montáže:	Surface Mount
dodavatelský balíček zařízení:	PowerPAK® SO-8
balíček / pouzdro:	PowerPAK® SO-8

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.